Un investigador de l’UJI aconsegueix per primera vegada generar gasos d'electrons d'altamobilitat en nanofils semiconductors

27/05/2014 | SCP
Compartir

Compartir

Facebook
X
Linkedin
Whatsapp
Gmail
Imprimir
  • Miquel Royo. electrons-nanofils Miguel_Royo_web

    Miquel Royo, investigador del grup de Química Quàntica de l'UJI. | FOTO: DAMIÁN LLORENS

La nanotecnologia, l'òptica o la fotovoltaica són solament alguns dels camps que es poden beneficiar dels avanços en el coneixement dels sistemes de nanofils semiconductors. Investigadors de la Universitat Jaume I (UJI) de Castelló, del Consiglio Nazionale delle Ricerche d'Itàlia i del Walter Schottky Institut d'Alemanya han aconseguit per primera vegada demostrar l'acumulació de gasos d'electrons d'alta mobilitat en nanofils multicapa a partir de la tècnica denominada «dopatge remot».

Aquesta tècnica, que actualment s'utilitza de forma estàndard en indústria, ha permès des de fa més de 35 anys obtenir dispositius d'alta mobilitat electrònica basats típicament en estructures multicapa planes. La recerca publicada en la revista Nano Letters recull per primera vegada l'obtenció d'aquests electrons d'alta mobilitat en una morfologia totalment nova com són els nanofils d'arsenur de gal·li, un tub amb forma hexagonal a escala nanomètrica que creix sobre una superfície de silici i que es recobreix radialment amb altres materials semiconductors. La peculiar estructura multicapa permet crear espais en els nanofils on els electrons es mouen lliures d'impureses a gran velocitat. En aquest sentit, Miquel Royo, investigador del grup de Química Quàntica de la UJI, destaca que s'ha aconseguit «la mobilitat electrònica més alta que s'ha publicat fins avui en nanofils semiconductors».

L'estudi ha demostrat que les mesures experimentals realitzades pels investigadors alemanys sobre nanofils amb dopatge concorden amb les simulacions computacionals realitzades per l'investigador de l’UJI en les quals s'assumeix l'existència d'un gas d'electrons d'alta mobilitat en el nanofil. Les simulacions teòriques del sistema han permès també concloure que «el gas d'electrons resultant posseeix una dimensionalitat mixta. Els electrons tendeixen a situar-se en les interfases existents entre les diferents capes del nanofil, la qual cosa els confereix un caràcter bidimensional. No obstant això, a causa de la peculiar forma hexagonal dels nanofils i a la repulsió entre els electrons, s'ha observat que aquests s'acumulen predominantment en els vèrtexs de l’heteroestructura, formant canals unidimensionals.

Sense necessitat de dopants

La revista Nano Letters ha publicat recentment un nou estudi desenvolupat pel mateix investigador del grup de Química Quàntica de l’UJI en col·laboració amb investigadors del Laboratoire National des Champs Mannétiques Intenses de Tolosa de Llenguadoc (França) en el qual s'ha aconseguit generar de nou gasos electrònics en nanofils multicapa, però en aquesta ocasió sense requerir la introducció d'elements dopants de forma intencionada. En l'estudi es demostra que una fina capa d'arsenur de gal·li crescuda en el nanofil entre dues capes d'arsenur d'alumini actua com un parany per als àtoms de carboni que es troben presents en tota càmera de creixement. «El carboni acumulat en el nanofil actua al seu torn com un dopant, que no ha estat intencionalment incorporat, i genera l'aparició, en aquest cas, d'un gas de buits d'electrons», explica Royo, ressaltant que «s'aconsegueix així una tècnica alternativa per a l'obtenció de gasos electrònics en aquests sistemes tan complexos». La comprovació de la presència del gas de buits d'electrons en els nanofils es va dur a terme confrontat mesures experimentals de fotoluminiscència amb simulacions computacionals d’aquestes realitzades per l'investigador de l’UJI.

Els resultats presentats en ambdues publicacions constitueixen importants avanços tecnològics, especialment en el camp de la nanoelectrònica, «en el qual resulta especialment útil disposar de nanodispositius en què la mobilitat dels electrons siga tan alta, principalment per a aplicacions d'alta freqüència, com ara telèfons mòbils, on es requereix que hi haja una baixa dissipació d'energia», assenyala l'investigador de la Jaume I. A més, afegeix que «una vegada que siguem capaces de fer créixer de manera reproduïble aquest nou tipus de nanoestructures semiconductores, aquestes representaran un escenari ideal on es podenestudiar les propietats fonamentals de gasos electrònics d'alta mobilitat en noves morfologies de dimensionalitat mixta».

 

Referències bibliogràfiques:

Stefan Funk, Miguel Royo, Ilaria Zardo, Daniel Rudolph, Stefanie Morkötter, Benedikt Mayer, Jonathan Becker, Alexander Bechtold , Sonja Matich, Markus Döblinger , Max Bichler, Gregor Koblmüller, Jonathan J. Finley, Andrea Bertoni, Guido Goldoni, and Gerhard Abstreiter “High Mobility One- and Two-Dimensional Electron Systems in Nanowire-Based Quantum Heterostructures” Nano Letters, 2013, 13 (12), pp 6189–6196

J. Jadczak, P. Plochocka, A. Mitioglu, I. Breslavetz, M. Royo, A. Bertoni , G. Goldoni, T. Smolenski, P. Kossacki, A. Kretinin, Hadas Shtrikman and D. K. Maude “Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire” Nano Letters, 2014, 14 (5), pp 2807–2814

Informació proporcionada per: Servei de Comunicació i Publicacions